存在损耗通道的开量子系统中的输运

我们研究了边界驱动的一维费米子晶格装置中非平衡稳态(NESS)输运，该装置还受到粒子损耗的影响。我们分析了在边界储层化学势不同取值下，零温电导的系统尺寸标度。我们考虑了多种损耗通道配置：(i) 晶格中间位点的单点损耗，(ii) 多个但非广延的损耗通道，以及 (iii) 广延的损耗通道。对于情况(i)和(ii)，当化学势位于晶格带内和带外时，电导随系统尺寸的标度保持稳健（即与无损耗情况相同），而在带边则出现丰富的反常电导标度。对于情况(iii)，在热力学极限下，对于任何化学势值，电导标度都变为弹道输运。我们通过分析底层晶格相关的非厄米传递矩阵的谱性质，解释了这些不同电导系统尺寸标度的出现。我们证明，反常标度的出现与传递矩阵异常点的存在密切相关。我们的研究揭示，通过精心优化损耗机制配置，原则上可以在低维开放量子系统中实现具有丰富输运性质的系统。