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迈向电阻稀疏化器

数据结构与算法 2015-06-26 v1

摘要

我们研究图的电阻稀疏化,其目标是找到近似保持每对节点间有效电阻的稀疏子图(具有重加权边)。我们证明每个稠密正则扩张图容许大小为O~(n/ϵ)\tilde O(n/\epsilon)(1+ϵ)(1+\epsilon)-电阻稀疏化器,并猜想此界对所有nn节点图成立。作为比较,谱稀疏化是一个严格更强的概念,即使在完全图上也需要Ω(n/ϵ2)\Omega(n/\epsilon^2)条边。我们的方法引出了关于图的如下结构问题:每个稠密正则扩张图是否包含稀疏正则扩张图作为子图?我们的主要技术贡献(其本身可能具有独立意义)是在某参数设定下对此问题给出肯定回答。将其与von Luxburg、Radl和Hein~(JMLR, 2014)的最近结果结合,得到了前述电阻稀疏化器。

关键词

引用

@article{arxiv.1506.07568,
  title  = {Towards Resistance Sparsifiers},
  author = {Michael Dinitz and Robert Krauthgamer and Tal Wagner},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.07568},
  year   = {2015}
}