半导体纳米晶格中二聚化费米-哈伯德模型的拓扑相
介观与纳米尺度物理
2020-02-18 v3 强关联电子
摘要
受近年来半导体中人工晶格制备进展及其在拓扑材料量子模拟方面前景的推动，我们研究了一维二聚化费米-哈伯德模型。我们展示了半填充时的拓扑相如何由基于每个自旋子系统的约化密度矩阵定义的约化Zak相来表征。体-边界对应的特征在体的三重子（triplon）激发和边界处未耦合自旋的边态中被观察到。在四分之一填充时，我们表明由于哈伯德相互作用的存在，系统在施加中等强度外磁场时可发生到非相互作用Su-Schrieffer-Heeger模型拓扑基态的相变。我们提出了一种稳健的实验实现方案，采用硅中的掺杂原子链或GaAs中栅极定义的量子点，其中该相变可通过测量通过该链多体态的隧穿电流来探测。
引用
@article{arxiv.1906.00488,
title = {Topological phases of a dimerized Fermi-Hubbard model for semiconductor nano-lattices},
author = {Nguyen H. Le and Andrew J. Fisher and Neil J. Curson and Eran Ginossar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.00488},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 7 figures