边际自校正量子存储器中的拓扑序与记忆时间
量子物理
2017-03-29 v2 统计力学
强关联电子
摘要
我们检查了两个边际自校正量子存储器的提案，Haah的立方码和Michnicki的焊接码。特别地，我们明确证明它们在零温度以上缺乏拓扑序，因为它们的吉布斯系综可以通过短深度量子电路从经典系综制备。我们的证明技术自然产生了与激发相关的自由能概念。此外，我们开发了CSS码中Davies生成元的遍历分解框架，其使得形式化约简到更简单的经典记忆问题。然后我们通过Peierls论证展示焊接码中的记忆时间关于逆温度呈双指数。这些结果从自由能和量子电路深度的视角引入了热拓扑序与自校正之间的进一步联系。
引用
@article{arxiv.1603.07805,
title = {Topological Order and Memory Time in Marginally Self-Correcting Quantum Memory},
author = {Karthik Siva and Beni Yoshida},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.07805},
year = {2017}
}
备注
19 pages, 18 figures