拓扑磁电效应的衰减

D. A. Pesin; A. H. MacDonald

doi:10.1103/PhysRevLett.111.016801

拓扑磁电效应的衰减

介观与纳米尺度物理 2013-08-09 v1

作者: D. A. Pesin , A. H. MacDonald

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摘要

我们探讨了实际无序对有效磁单极子的影响，该磁单极子是由响应突然引入的外部电荷而在理想拓扑绝缘体 (TI) 表面附近感生的方位角电流所诱导的。我们表明，当考虑纵向电导率 $\sigma_{xx} = g (e^2/h)$ 时，磁单极子的表观位置最初会以速度 $v_{M} = \alpha c g$ 远离 TI 表面，其中 $\alpha$ 是精细结构常数， $c$ 是光速。对于由大质量狄拉克模型描述的 TI 表面态这一特例，我们进一步发现，一旦表面电荷重新分布以屏蔽外部势，温度 T=0 时的霍尔电流便会消失。

关键词

拓扑绝缘体磁电效应磁单极子无序纵向电导率狄拉克模型霍尔电流

引用

@article{arxiv.1207.4444,
  title  = {Topological Magneto-Electric Effect Decay},
  author = {D. A. Pesin and A. H. MacDonald},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1207.4444},
  year   = {2013}
}

备注

4.5 pages, 1 figure

拓扑磁电效应的衰减

摘要

关键词

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