拓扑朗道晶格

拓扑费米子（包括 Weyl 和 Dirac 费米子）的概念源于磁场诱导的量子霍尔态，但拓扑费米子的定义和分类是在不使用磁场的情况下 formulated 的。一旦拓扑费米子的本征谱被强磁场完全重构，尚不清楚是否以及如何探测其拓扑信息。在本文中，我们通过将 $d$ 维拓扑费米子的朗道能级（能带）映射到 $(d-1)$ 维晶格模型的谱来提供答案。所得的“朗道晶格”可能对应于拓扑绝缘体，其拓扑性质可由实空间拓扑不变量确定。因此，每个零能朗道能级（能带）都从朗道晶格相应的拓扑边界态继承了拓扑稳定性。该理论通过将磁场下的二维 Dirac 费米子变换为 AIII 类的 Su-Schrieffer-Heeger 模型，以及将三维 Weyl 费米子变换为 A 类的 Chern 绝缘体进行了详细演示。