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半经典 regime 下的拓扑绝缘体

数学物理 2022-06-17 v1 math.MP

摘要

我们在半经典极限 h0h \rightarrow 0 下研究 R2\mathbb{R}^22×22 \times 2 系统 (hDt+D)Ψt=0(h D_t + \mathcal{D}) \Psi_t = 0 的解。我们的 Dirac 算子 D\mathcal{D} 是拓扑绝缘体界面之间的标准模型:它在零能量处表示半金属,在正/负能量处表示不同的拓扑相。其半经典符号具有两个相反的本征值,沿材料表现为半金属的位形/动量曲线 Γ\Gamma 锥形相交。我们证明,求解 (hDt+D)Ψt=0(h D_t + \mathcal{D}) \Psi_t = 0、初值在相空间中集中于 Γ\Gamma 上的波包会分裂为两部分。第一部分沿 Γ\Gamma 以预定方向与速度相干传播,这是著名的“边缘态”的动力学表现。第二部分立即塌缩。我们的方法包括:(i) 傅里叶积分算子约化;(ii) 对规范模型的细致 WKB 分析;(iii) 重构过程。它给出了传播模态速度与轮廓的具体公式。作为应用,我们解析描述了磁性、弯曲及应变拓扑绝缘体模型的动力学边缘态。

关键词

引用

@article{arxiv.2206.08238,
  title  = {Topological insulators in semiclassical regime},
  author = {Alexis Drouot},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.08238},
  year   = {2022}
}

备注

78 pages