A3B 单层中由 Zak 相位诱导的拓扑边缘态
介观与纳米尺度物理
2019-03-27 v1
摘要
在晶体系统中，电荷极化与由体能带拓扑决定的 Zak 相位相关。非平庸电荷极化会诱导出伴随分数电荷的鲁棒边缘态。在 Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型中，已知即便存在反演对称性，电子跃迁的强调制也会引起非平庸电荷极化。此处，我们考虑双原子蜂窝晶格以引入此种强调制，即 AB 片层。通过调节 A 与 B 原子间的跃迁比值和现场势能差，我们展示了由 Zak 相位表征的拓扑相变发生。此外，我们基于第一性原理计算提出 CN 与 BC 是可能的现实材料。不同于传统拓扑绝缘体，二者均展现出由 Zak 相位诱导、无需自旋轨道耦合与外场的拓扑边缘态。
引用
@article{arxiv.1902.02485,
title = {Topological Edge States Induced by Zak's Phase in A3B Monolayers},
author = {Tomoaki Kameda and Feng Liu and Sudipta Dutta and Katsunori Wakabayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.02485},
year = {2019}
}