PdSe$_2$ 五方单层中的拓扑能带
介观与纳米尺度物理
2023-05-09 v2
摘要
从拓扑能带理论的角度分析了五方二硒化钯（PdSe2）单层的电子结构。利用第一性原理计算、有效模型和对称性指标，我们发现低能导带具有拓扑非平庸性质，由时间反演和晶体对称性保护。给出了支持能带非平庸特性的数值证据。此外，我们从拓扑视角获得了相关的物理响应，例如自旋霍尔电导。
引用
@article{arxiv.2202.03963,
title = {Topological bands in the PdSe$_2$ pentagonal monolayer},
author = {Sergio Bravo and M. Pacheco and J. D. Correa and Leonor Chico},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.03963},
year = {2023}
}
备注
Published version, 8 pages + 6 figures. SI included