利用部分相干 X 射线纳米束研究应变硅-on-绝缘体线条的随时间弛豫
材料科学
2013-11-27 v1
摘要
我们报告了对横截面为 200x70 nm^2 的应变硅-on-绝缘体 (sSOI) 线条中应变图的定量测定。为了研究单根线条随时间的变化，我们使用了具有弛豫相干特性的 X 射线纳米束，作为束斑尺寸、相干性和强度之间的折衷方案。我们展示了如何在纳米尺度重建线条形变，并追踪其在 X 射线纳米束影响下弛豫时的演化过程。
引用
@article{arxiv.1306.3367,
title = {Time-dependent relaxation of strained silicon-on-insulator lines using a partially coherent x-ray nanobeam},
author = {Francesca Mastropietro and Joël Eymery and Gerardina Carbone and Sophie Baudot and François Andrieu and Vincent Favre-Nicolin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.3367},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures