MOCVD沉积的掺铥和掺镱二氧化钛薄膜
材料科学
2012-09-21 v1
摘要
在本研究中，我们合成了掺铥和/或掺镱的氧化钛薄膜，以改变太阳电池上的入射光谱。这可以通过光致发光上转换器件或下转换器件来实现。作为下转换薄膜，我们的工作涉及掺铥和掺镱的二氧化钛。铥和镱将分别作为敏化剂和发射剂。这些稀土掺杂薄膜通过气溶胶辅助MOCVD沉积，使用有机金属前驱体，如乙酰丙酮二氧化钛、四甲基庚二酮酸铥和四甲基庚二酮酸镱，溶解于不同溶剂中。这些薄膜已在不同沉积条件（例如温度和掺杂剂浓度）下沉积在硅衬底上。在300°C至600°C的沉积温度范围内获得了附着性良好的薄膜。沉积速率在0.1至1 μm/h之间变化。当衬底温度高于400°C时，获得锐钛矿相。需要进一步退火以展现发光特性并消除前驱体的有机残留。分析了沉积薄膜的物理化学和发光特性随不同沉积参数和退火条件的变化。我们表明，在近紫外蓝光范围内吸收的光被镱在980 nm处重新发射，并被铥在约800 nm的波段重新发射。
引用
@article{arxiv.1108.1097,
title = {Thulium and ytterbium-doped titania thin films deposited by MOCVD},
author = {Sébastien Forissier and Hervé Roussel and Carmen Jimenez and Odette Chaix and Antonio Pereira and Amina Bensalah-Ledoux and Jean-Luc Deschanvres and Bernard Moine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1097},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 6 figures, proceeding