半导体单原子微波激射器的阈值动力学
介观与纳米尺度物理
2017-09-04 v1 量子物理
摘要
我们展示了一种由嵌入在高品质因子微波腔中的半导体双量子点（DQD）构成的单原子微波激射器。有限偏压将 DQD 驱动至非平衡态，导致顺序单电子隧穿和微波激射。我们开发了一种动态调谐协议，允许我们在固定能级失谐下可控地增加 DQD 的时间平均再泵浦率，并定量研究了通过微波激射阈值的转变。我们进一步通过测量微波激射转变过程中的光子统计，检验了从非相干到相干发射的交叉。当考虑到来自引线发射的微小修正时，观测到的阈值行为与现有的单原子微波激射器理论相一致。
引用
@article{arxiv.1704.01961,
title = {Threshold Dynamics of a Semiconductor Single Atom Maser},
author = {Y. -Y. Liu and J. Stehlik and C. Eichler and X. Mi and T. Hartke and M. J. Gullans and J. M. Taylor and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01961},
year = {2017}
}