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半导体双量子点微波激射器中的声子辅助增益

介观与纳米尺度物理 2015-06-29 v3 量子物理

作者: M. J. Gullans , Y. -Y. Liu , J. Stehlik , J. R. Petta , J. M. Taylor

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摘要

我们为最近演示的双量子点(DQD)微波激射器建立了一个微观模型。在表征该器件的增益时，我们发现除了光子的直接受激发射外，还有来自光子与声子同时发射（即声子边带）的巨大贡献。我们表明这种声子辅助增益通常主导导致微波激射的总体增益。最近的实验数据与我们的模型吻合良好。

关键词

双量子点微波激射器声子辅助增益声子边带受激发射微观模型

引用

@article{arxiv.1501.03499,
  title  = {Phonon-Assisted Gain in a Semiconductor Double Quantum Dot Maser},
  author = {M. J. Gullans and Y. -Y. Liu and J. Stehlik and J. R. Petta and J. M. Taylor},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1501.03499},
  year   = {2015}
}

备注

v1: 6 pgs, 2 figures; v2: 6 pgs, 3 figures, added Fig 2b and Fig. 3b, modified main text; v3: 6+ pgs, 3 figures, modified main text