半导体量子阱中磁激子的声子辅助发光
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1
摘要
我们考虑了当无序足够小时量子阱中磁激子光致发光的线形。在这种情况下，声子辅助光学跃迁对谱线的形成变得重要。我们研究了带间和带内激子。对于带间激子，计算了单峰发射线宽度作为温度和量子阱宽度的函数。对于带内激子，预测当电子填充因子为奇数且大于或等于 3 时，发射线会出现双峰。在后一种情况下，最低磁激子色散曲线在非零动量处具有极小值。高能峰源于零动量激子的直接光学发射。低能峰源于非零动量激子态的声子辅助跃迁。随着温度升高，高能峰变得更加显著，而低能峰消失。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111366,
title = {Phonon-assisted luminescence of magnetoexcitons in semiconductor quantum wells},
author = {V. M. Apalkov and M. E. Portnoi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111366},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures