透明氧化物半导体BaSnO3中本征有效质量的温差电势率调制澄清
材料科学
2017-08-09 v1
摘要
尽管已有如此多关于透明氧化物半导体BaSnO3的载流子有效质量（m*）的报道，但由于报道的m*值分散在0.06至3.7 m0之间，几乎不可能获知本征m*值。本文中，我们通过温差电势率调制澄清法成功澄清了BaSnO3的本征m*，m*=0.40 0.01 m0。我们还发现了BaSnO3的简并/非简并半导体阈值；在该阈值处，La掺杂BaSnO3与BaSnO3 TFT结构的温差电势率值均为240 microvolt k-1，体载流子浓度为1.4E19 cm-3，二维面载流子浓度为1.8E12 cm-2。当EF位于抛物线形导带底之上时，观察到相当高的迁移率。相反，当EF位于阈值以下时，观察到非常低的载流子迁移率，很可能是由于尾态抑制了载流子迁移率。本结果对进一步开发基于BaSnO3的氧化物电子学有用。
引用
@article{arxiv.1704.03653,
title = {Thermopower modulation clarification of the intrinsic effective mass in a transparent oxide semiconductor, BaSnO3},
author = {Anup V. Sanchela and Takaki Onozato and Bin Feng and Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.03653},
year = {2017}
}
备注
16 pages including 4 figures