热电势增强的Si/SiGe弹道整流器效率
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
研究了注入型Si/SiGe弹道整流器在不同局域栅极位置下栅压对转移电阻RT（输出电压除以输入电流）的影响。整流器为三叉量子线结构，包含直电压干和斜电流注入引线。根据栅极配置，热电势贡献源于近乎夹断的干区，这些贡献或相互抵消，或以相同或相反极性叠加于弹道信号之上。最佳情况下，RT在阈值电压附近增强至最大值470欧姆。
引用
@article{arxiv.0904.3226,
title = {Thermopower-enhanced efficiency of Si/SiGe ballistic rectifiers},
author = {D. Salloch and U. Wieser and U. Kunze and T. Hackbarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.3226},
year = {2015}
}