通过趋衡分子动力学模拟确定的 Si/Ge 界面热边界电阻
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
利用趋衡分子动力学模拟确定了 Si/Ge 界面的热边界电阻。假设热边界电阻呈倒数线性依赖关系，可从计算中提取出与长度无关的体热边界电阻，对于尖锐 Si/Ge 界面及从 Si 到 Ge 的热传输，其值为 3.76x10 m K/W。引入由 SiGe 合金构成的 0.5 nm 有限厚度界面后，体热电阻较尖锐 Si/Ge 界面略有下降。边界的进一步增厚导致体热边界电阻增加。当热流方向反转（从 Ge 到 Si）时，发现热边界电阻更高。根据不同热流方向下热边界电阻的差异，确定了 Si/Ge 的整流因子，并发现当通过边界层引入 SiGe 合金使尖锐界面变得缓和时，该整流因子显著降低。
引用
@article{arxiv.1504.03613,
title = {Thermal boundary resistance at Si/Ge interfaces determined by approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations},
author = {Konstanze R. Hahn and Marcello Puligheddu and Luciano Colombo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.03613},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 6 figures