外延硅锗热敏电阻层的表征与预测建模
材料科学
2013-12-04 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
通过实验和仿真分析了外延硅锗（SiGe）层的电阻温度系数（TCR）。使用漂移-扩散形式和自洽量子力学解的预测仿真得出了相似的结果，在300 K时TCR约为2%/K。这种建模方法可用于不同的、渐变和恒定的SiGe分布。它还能够预测背景自掺杂对探测器TCR的影响。
引用
@article{arxiv.1112.2043,
title = {Characterization and Predictive Modeling of Epitaxial Silicon-Germanium Thermistor Layers},
author = {B. Gunnar Malm and Mohammadreza Kolahdouz and Fredrik Forsberg and Frank Niklaus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2043},
year = {2013}
}