非晶半导体中的电阻率温度系数
统计力学
2011-12-13 v2 材料科学
摘要
通过运用微观响应方法并结合一组合理的近似，我们获得了非晶半导体，特别是a-Si:H和a-Ge:H中电导率和电阻率温度系数（TCR）的新的显式表达式。对n掺杂a-Si:H和a-Ge:H所预测的TCR与实验一致。从局域态到扩展态（LE）跃迁的电导率与两个局域态之间（LL）跃迁的电导率相当。这解决了一个长期存在的异常，即实验log₁₀σ与T⁻¹曲线中的一个“扭折”。
引用
@article{arxiv.1112.2169,
title = {Temperature Coefficient of Resistivity in Amorphous Semiconductors},
author = {Ming-Liang Zhang and David A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2169},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 8 figures, submitted to Phys. Rev. Lett