同质/异质界面的热边界特征

两固体接触界面会引入热边界电阻（TBR），这从实验上难以测量。此外，若界面具有反应性，它会形成中间再结晶或非晶区，并引入额外的影响现象。采用反应力场分子动力学（ReaxFF MD）研究这些（非）反应性界面的界面现象。利用现象学理论（PT）对非反应性界面进行比较，预测界面处的温度不连续性。通过连接ReaxFF MD和PT，我们确认了同质非反应性界面的连续温度分布，以及异质非反应性界面的温度跳跃。进一步使用ReaxFF MD理解两接触固体化学活性的影响。所选Si/SiO$_2$材料显示，反应界面的TBR是非反应界面的两倍，从 $1.65\times 10^{-9}$ 增至 $3.38\times 10^{-9}$ m$^2$K/W。这归因于加热诱导形成的中间非晶层，该层在系统再次冷却时保持稳定。这为设计具有所需TBR的多层结构提供了可能。