三元 CoSP 半导体的理论研究：一种光伏应用候选材料
材料科学
2020-03-24 v1
摘要
利用密度泛函理论研究了黄铁矿型磷硫化钴(CoSP)的电子结构。计算得到的能带结构揭示了该化合物的非磁性半导体特征。通过电子能带结构和态密度描述了其电子结构。在标准 GGA 下计算得到的带隙为 1.14 eV，使用杂化泛函后该值增大。该带隙将主要由 Co-3d-t2g 态占据的价带上部与完全由 Co-3d-eg 态构成的导带下部隔开，其上方为 S-3p 和 P-3p 态。根据 Shockley-Queisser 光电能转换效率理论，所得数值适用于太阳能电池应用。解释了 CoSP 带隙相对于有前景的 FeS2 化合物更大的起源，并探讨了化学键性质。建立了对比图像，发现了若干相似性，表明 CoSP 在光伏领域可能具有很大的实际应用价值。
引用
@article{arxiv.2003.09864,
title = {Theoretical Study of Ternary CoSP Semiconductor: a Candidate for Photovoltaic Applications},
author = {Abdesalem Houari and Fares Benissad},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.09864},
year = {2020}
}
备注
3 figures