零维卤化锑钙钛矿中的中间带
材料科学
2018-09-21 v2
摘要
利用密度泛函理论，研究了一种近期发现的零维卤化锑钙钛矿的结构与电子结构性质。研究发现，本文所考虑的材料 EtPySbBr 展现出极具前景的电子结构性质：直接带隙接近太阳光谱峰值，且有效质量尤其允许电子的高效载流子输运。这些结果通过电子结构分析得以阐释，分析揭示了由于 Sb s 态的轨道杂化效应形成了中间带。本研究表明中间带的形成可带来零维钙钛矿高度有利的电子结构性质，并讨论了通过靶向离子取代与中间带涌现来制备具有前景光电性质的无铅卤化钙钛矿（HaPs）的可能性。这些见解对于理解和进一步增强锑及其他有前景无铅化合物的能力十分重要。
引用
@article{arxiv.1805.09560,
title = {Intermediate Bands in Zero-Dimensional Antimony Halide Perovskites},
author = {David A. Egger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.09560},
year = {2018}
}