二维哈伯德模型:分子电子学的理论工具
强关联电子
2015-05-20 v1
摘要
当谈及分子电子学时,一个显而易见的问题是如何从理论上进行研究。适用于分子电子学的最简单的理论模型是二维哈伯德模型。本文旨在介绍该模型,并给出一些它能描述的系统示例。在简短的数学导向讨论之后,将展示如何计算特定平面系统的电导率:一个沿两个轴具有相互独立电导率的矩形晶格,但无需使用二维哈密顿量。该系统可能在高温超导研究中得到应用。最后将证明,石墨烯的电导率可以通过对一维哈伯德模型的哈密顿量进行轻微重构来确定,而无需使用完整的二维哈伯德模型形式体系。
引用
@article{arxiv.1101.0363,
title = {The two dimensional Hubbard model:a theoretical tool for molecular electronics},
author = {V. Celebonovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0363},
year = {2015}
}
备注
Lecture given at the 16 Int.School of Cond.Matt.Physics,August 29.,-September 3 2010.,Varna (Bulgaria)