Kane-Mele 模型中的拓扑 Anderson 绝缘体相
介观与纳米尺度物理
2016-04-07 v2
摘要
已有提议认为，在向拓扑平凡的汞碲/镉碲 (HgTe/CdTe) 量子阱中添加无序可以诱导向拓扑非平凡态的相变。由此产生的态被称为拓扑 Anderson 绝缘体 (topological Anderson insulator)，并在 Bernevig-Hughes-Zhang 模型的计算机模拟中被发现。在此，我们表明拓扑 Anderson 绝缘体是一种更普遍的现象，也出现在蜂窝晶格上拓扑绝缘子的 Kane-Mele 模型中。我们数值研究了相关参数的相互作用，并确立了拓扑 Anderson 绝缘体存在的参数范围。交错子晶格势被证明是向拓扑 Anderson 绝缘体转变的必要条件。对于足够弱的无序，基于最低阶 Born 近似的计算定量地重现了数值数据。因此，我们的结果极大地增加了拓扑 Anderson 绝缘体相的候选材料数目。
引用
@article{arxiv.1512.03233,
title = {The topological Anderson insulator phase in the Kane-Mele model},
author = {Christoph P. Orth and Tibor Sekera and Christoph Bruder and Thomas L. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.03233},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures