NiO 中的镍空位受主：超越热力学平衡的掺杂
材料科学
2020-04-08 v1
摘要
本研究报道了宽禁带 p 型半导体氧化镍（NiO）中显著本征点缺陷 VNi（镍空位）的温度诱导外扩散与浓度衰减。VNi 可在 NiO 薄膜生长过程中通过提供高氧分压轻易引入，从而形成非化学计量半导体结构。然而，生长后暴露于较低氧供应环境（例如标准大气）通常会导致薄膜电导率逐渐下降，因为空位浓度趋于平衡。在本研究中，我们通过对室温生长的 NiO 薄膜进行温度依赖的电导率测量，原位观察了这一进程。在 420K 且无氧条件下，掺杂水平下降了 8 倍，而相关的室温直流电导率下降了六个数量级。同时，可通过电极极化特征的出现间接观察到移动 VNi 物种的外扩散。
引用
@article{arxiv.2001.04704,
title = {The nickel vacancy acceptor in NiO: doping beyond thermodynamic equilibrium},
author = {Robert Karsthof and Arthur Markus Anton and Friedrich Kremer and Marius Grundmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.04704},
year = {2020}
}