La和Mg共取代BiFeO3薄膜中氧空位介导的负微分电阻
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
研究了Bi0.9La0.1Fe0.96Mg0.04O3（BLFM）薄膜在不同温度下的导电特性，并在薄膜中观察到负微分电阻（NDR），即在80°C以上施加向下电场时出现漏电流峰值。NDR行为的起源与薄膜中存在的氧空位（VO..）离子缺陷有关。在分析漏电机制和表面电势行为的基础上，通过考虑VO..的极化分布与中和之间的竞争，可以理解NDR行为。
引用
@article{arxiv.1203.0458,
title = {Oxygen-vacancy-mediated Negative Differential Resistance in La and Mg co-substituted BiFeO3 Thin Film},
author = {Qingqing Ke and Amit Kumar and Xiaojie Lou and Kaiyang Zeng and John Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.0458},
year = {2015}
}