石墨烯中势阱产生的感应电荷
介观与纳米尺度物理
2010-04-21 v2 材料科学
摘要
考虑了由有限半径 的势阱在石墨烯中产生的感应电荷密度 。推导了远距离 下 的结果。我们还获得了亚临界和超临界状态下，半径 外部和内部的感应电荷。该分析基于通过电子在势场中的格林函数对感应电荷密度的便捷表示。
引用
@article{arxiv.0912.0770,
title = {The Induced Charge Generated By The Potential Well In Graphene},
author = {Alexander I. Milstein and Ivan S. Terekhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0770},
year = {2010}
}
备注
12 pages, 2 figures, version published in Phys.Rev. B