多层石墨烯结构中的电诱导n-i-p结
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 材料科学
摘要
本文通过数值计算和简化解析模型，计算了多层石墨烯结构中电诱导n-i-p结的n区和p区内不同石墨烯层中电子和空穴的费米能级及其密度。同时计算了反向偏压下，通过n区和p区注入少数载流子引起的反向电流。结果表明，在具有适中石墨烯层数的电诱导n-i-p结中，反向电流可以被显著抑制。因此，具有此类n-i-p结的多层石墨烯结构可用于各种电子和光电子器件。
引用
@article{arxiv.1002.1778,
title = {Electrically-induced n-i-p junctions in multiple graphene layer structures},
author = {M. Ryzhii and V. Ryzhii and T. Otsuji and V. Mitin and M. S. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1778},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 6 figures