石墨烯 p-i-n 结构中的双注入
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1
摘要
我们研究了在正向偏压下，电子和空穴注入（双注入）到单层及多层石墨烯 p-i-n 结构 i 区的过程。采用了控制石墨烯中电子和空穴输运的流体力学方程，并与二维泊松方程耦合。利用该模型方程的解析解和数值解，我们计算了能带边缘分布、准费米能级的空间分布、载流子密度与速度，以及电流 - 电压特性。特别是，我们证明了电子与空穴的碰撞会强烈影响这些分布。所得结果可用于实现和优化基于石墨烯的注入式太赫兹及红外激光器。
引用
@article{arxiv.1305.5012,
title = {Double injection in graphene p-i-n structures},
author = {V. Ryzhii and I. Semenikhin and M. Ryzhii and D. Svintsov and V. Vyurkov and A. Satou and T. Otsuji},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.5012},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 11 figures