静电屏蔽对纳米尺度静电计的影响
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们研究了静电屏蔽对纳米尺度硅MOSFET静电计的影响。我们发现，制造MOSFET的轻掺杂p型衬底的屏蔽效应显著影响了器件的灵敏度。我们能够通过分别改变温度和施加在器件上的电压来调节屏蔽效应的速率和幅度。我们表明，尽管存在这种屏蔽效应，静电计对其静电环境仍然非常敏感，即使在室温下也是如此。
引用
@article{arxiv.1006.5948,
title = {The Effect of Electrostatic Screening on a Nanometer Scale Electrometer},
author = {Kenneth MacLean and Tamar S. Mentzel and Marc A. Kastner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5948},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures