电子能谱中电子屏蔽效应的鲁棒性：以 V$_2$O$_5$ 为例
材料科学
2023-02-15 v2 计算物理
摘要
在体相和低维扩展系统中，电子云对激发的屏蔽是决定光谱性质的关键特征。广泛使用的计算方法，特别是在多体微扰理论框架内的方法，如 GW 近似和由此产生的近似 Bethe-Salpeter 方程，都是用屏蔽库仑相互作用显式表述的。在本工作中，我们探讨了吸收和电子能量损失能谱中的屏蔽效应，重点关注局部畸变对屏蔽的影响，并阐明由此引起的各种光谱变化。以层状体相氧化物 VO 为原型材料，我们展示了局部畸变如何影响屏蔽，以及屏蔽的变化如何影响包含激子的电子能量损失光谱和吸收光谱。我们强调了抵消效应，该效应使得光谱中的多体效应对结构修饰非常鲁棒，而能带结构发生显著变化，激发的性质也可能受到影响。这为结构-性质关系提供了深入见解，这对于将 VO 用作储能材料至关重要，且更一般地，可用于优化复杂材料中电子能谱的分析和计算。
引用
@article{arxiv.2211.06285,
title = {Robustness of electronic screening effects in electron spectroscopies: example of V$_2$O$_5$},
author = {Vitaly Gorelov and Lucia Reining and Walter R. L. Lambrecht and Matteo Gatti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.06285},
year = {2023}
}