高电场下静电力对压电材料的影响：对基于 GaN 的纳米尺度结构的作用
材料科学
2011-04-28 v2
摘要
平行板电容器结构中材料机电性能的测定会受到电极间静电力的影响。由这种电场诱导应力引起的修正通常被认为与应变对电场的二次依赖关系（电致伸缩）有关。在此，我们基于热力学原理对该简单结构进行计算，结果表明，通过压电耦合和自发极化的组合，静电力对压电材料的影响可导致二次和线性修正。我们考虑了施加的边界条件以及几何效应，给出了基于 GaN 的电容纳米尺度结构的案例。该示例的结果表明，压电系数和电致伸缩系数的修正分别高于 0.3 pmV⁻¹ 和 2.6×10⁻²² m²V⁻²。
引用
@article{arxiv.1008.3107,
title = {Effects of electrostatic force on piezoelectric materials under high electric field: Impact on GaN-based nanoscale structures},
author = {Carlos Rivera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3107},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 4 figures