机电纳米开关中非局域效应的建模

我们考虑了由具有显著机电耦合的压电和/或挠电特性材料制成的介电纳米开关。在这种情况下，非均匀应变场可能局部破坏反演对称性，甚至在非压电材料中诱导极化。当尺寸缩小到纳米尺度时，挠电效应展示了介电材料的非局域性，并比压电效应发挥更重要的作用。通过电焓密度中耦合应变梯度和极化的附加项，将挠电效应纳入考虑。我们得到了改进的欧拉-伯努利和铁木辛柯梁模型以及二维板理论的运动方程。