通过可控缺陷引入调控石墨烯的热膨胀
材料科学
2017-11-01 v1
摘要
与大多数材料相反，石墨烯表现出负的热膨胀系数（TEC），即受热时收缩。这种收缩源于低能面外振动模式的热激发。据报道，这些弯曲模式支配着悬浮石墨烯的电子输运和力学响应。在本工作中，我们系统地研究了缺陷对悬浮石墨烯薄膜热膨胀系数的影响。可控引入低密度的单空位缺陷会降低石墨烯的热膨胀系数，在缺陷密度为~cm时，降低幅度可达一个数量级。我们的分子动力学模拟重现了所观察到的趋势，并表明热膨胀系数的降低是由于单空位在其周围区域产生的应变场抑制了面外涨落。这些结果突显了缺陷在“实际”石墨烯性质中的关键作用，并为未来电子与力学缺陷工程的应用提议铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1612.04582,
title = {Tailoring the thermal expansion of graphene via controlled defect creation},
author = {Guillermo López-Polín and Maria Ortega and J. G. Vilhena and Irene Alda and J. Gomez-Herrero and Pedro A. Serena and C. Gomez-Navarro and Rubén Pérez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.04582},
year = {2017}
}
备注
19