由粒子与空穴态合成分数 v=2/3 态
介观与纳米尺度物理
2019-08-06 v2
摘要
拓扑边缘重构发生在分数量子霍尔效应的空穴共轭态中。常被研究的极化填充因子 v=2/3 态最初被提出包含两种反向传播的边缘模式：下游的 v=1 和上游的 v=1/3。然而，这两种模式之间的电荷平衡总是导致观测到下游的 v=2/3 电荷模式伴随一个上游中性模式（从而妨碍了对原始方案的观测）。在此，我们提出一种新方法，从其基本的反向传播带电组分合成 v=2/3 边缘模式，从而实现两种反向传播电荷模式之间受控的平衡。这一新平台基于精心设计的双量子阱，其容纳两个有电子占据的子带（下子带和上子带），对应填充因子 vl 与 vu。通过将二维平面分隔为两个具有不同填充的栅控相交半区，可沿交线形成反向传播的手性模式。这些模式之间的平衡可由顶栅电压和磁场控制。我们对两终端电导 G2T 以及中性模式存在的测量，使得我们能够追踪从非平衡带电模式（表现为 G2T=(4/3)e2/h）到完全平衡模式的转变，后者具有下游电荷模式 G2T=(2/3)e2/h 并伴随上游中性模式。
引用
@article{arxiv.1810.06036,
title = {Synthesizing a Fractional v=2/3 State from Particle and Hole States},
author = {Yonatan Cohen and Yuval Ronen and Wenmin Yang and Daniel Banitt and Jinhong Park and Moty Heiblum and Alexander Mirlin and Yuval Gefen and Vladimir Umansky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.06036},
year = {2019}
}
备注
16 pages,4 figures