分数量子霍尔区域中的非平衡反向传播边缘模

众所周知，在分数量子霍尔效应中（例如 ${\nu}=2/3, 3/5,$ 等），对于“空穴共轭”态，二维电子气边缘会发生“密度重构”。这种重构在反向传播边缘通道之间达到平衡后，会导致下游手性电流边缘模伴随上游手性中性模（携带能量但不携带净电荷）。迄今为止，较短的平衡长度阻碍了对反向传播电流通道的观测——这是密度重构的标志。在此，我们提供了此类非平衡反向传播电流通道存在的证据，这些通道位于分数填充 ${\nu}=2/3$ 以及出乎意料的 ${\nu}=1/3$ 的短区域（$l=4{\mu}m$ 和 $l=0.4{\mu}m$）中，且夹在两个整数填充 ${\nu}=1$ 的区域之间。与二端分数电导不同，该电导在分数平台处或附近表现出向单位量子电导 $(G_Q=e^2/h)$ 的显著上升。我们将这种电导上升归因于分数短区域中存在非平衡的下游 ${\nu}=1$ 通道。