拓扑绝缘体纳米台阶结中电导的抑制
介观与纳米尺度物理
2013-01-30 v1
摘要
我们研究了在三维拓扑绝缘体表面涉及两个不同侧表面的纳米台阶结中通过表面态的量子输运。我们在散射矩阵形式框架内计算了通过该结的电导，并发现随着偏置电压的增加，纳米台阶结的电导相较于基于拓扑绝缘体单一表面的类似平面结，被一个普适因子1/3所抑制。我们还计算并分析了纳米台阶结的Fano因子，并预测Fano因子饱和于1/5，比泊松过程小五倍。
引用
@article{arxiv.1204.3392,
title = {Suppression of Conductance in a Topological Insulator Nanostep Junction},
author = {M. Alos-Palop and Rakesh P. Tiwari and M. Blaauboer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.3392},
year = {2013}
}