通过应变退火抑制电路互连中的Kirkendall空洞密度
材料科学
2017-12-20 v1
摘要
电路互连界面处不可预测的Kirkendall空洞形成是电子器件退化的根源，然而缺乏有效方法来抑制这些空洞的数量。在此我们开发了一种应变退火方法以调控互连铜基底中的晶粒尺寸分布，并定量证明不仅杂质的去除，而且基底晶粒尺寸的增大都会导致空洞密度显著下降。在较高退火温度下再结晶的基底上的互连显示出大量孔隙率以及对晶粒尺寸空洞化的敏感性增加。我们的发现对许多其他异质界面的空洞倾向调控具有广泛意义，并且对于基于宽禁带半导体高温/高功率电子器件中的高性能电路键合至关重要。
引用
@article{arxiv.1712.06856,
title = {Suppressing Kirkendall Void Density in Circuit Interconnections by Strain Annealing},
author = {Chongyang Cai and Rong An and Chunqing Wang and Yanhong Tian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.06856},
year = {2017}
}
备注
16 pages, 4 figures