高温下 InAs/GaSb II 型超晶格电子迁移率的研究
材料科学
2015-02-06 v1
摘要
本文研究了温度对 InAs/GaSb II 型超晶格 (SLs) 中电子迁移率的影响，其中能带结构和波函数是通过使用数值有限差分法求解 K.P 哈密顿量计算得出的。在该模型中，考虑了主要的散射机制，如合金散射、声学声子散射和光学声子散射。所得的 II 型超晶格电子迁移率取决于结构参数和不同的散射参数。我们将计算结果与已发表的实验数据进行了比较，显示出良好的一致性。
引用
@article{arxiv.1502.01453,
title = {Study of the Electron Mobility in InAs/GaSb Type II Superlattices at High Temperatures},
author = {Sara Safa and Asghar Asgari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01453},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 6 figures,Submitted to European Physical Journal B