锗砷/锗砷(001)量子点中锗的掺杂对结构和光学性质的影响
材料科学
2025-01-24 v1
摘要
我们提供了锗掺杂作用于InAs/GaA(001)量子点并在其覆盖GaAs之前暴露于锗通量后所产生的结构和光学变化的实验证据。通过横截面扫描隧道显微镜和电子透射显微镜测量，锗在纳米结构内部的组成分布显示出两种不同区域，其中锗富集合物位于量子点的尖端。原子力显微镜和透射电子显微镜图显示，锗通量暴露后量子点的高度显著增加。反射镜高能电子衍射图样的演化表明，高度的增加是由于存在分离的锗原子导致量子点覆盖过程发生变化所致。这些结构和组成变化导致室温光致发光发射波长从1.26微米位移到1.36微米，并伴随室温量子点发光强度约一个数量级的增加。
引用
@article{arxiv.2501.13437,
title = {Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots},
author = {A. G. Taboada and A. M. Sánchez and A. M. Beltrán and M. Bozkurt and D. Alonso-Álvarez and B. Alén and A. Rivera and J. M. Ripalda and J. M. Llorens and J. Martín-Sánchez and Y. González and J. M. Ulloa and J. M. García and S. I. Molina and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.13437},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 11 figures