低温偏振拉曼分析以考察InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点异构结构中的界面声子
介观与纳米尺度物理
2024-09-17 v1 应用物理
摘要
本文报告了对InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点异构结构中光学声子模式（正常声子和界面（IF）声子）的实验研究，采用低温偏振拉曼散射技术。Sb含量对这些声子模式的频率位置具有良好相关性，与模拟应变结果一致。拉曼峰在异构结构中根据capping层的Sb含量不同表现出不同的频率位移。这种位移可归因于应变松弛、量子点的更大尺寸以及类型-II带对齐。
引用
@article{arxiv.2409.09631,
title = {Polarized Raman Analysis at Low Temperature to Examine Interface Phonons in InAs/GaAs_(1-x)Sb_x Quantum Dot Heterostructures},
author = {Priyesh Kumar and Sudip Kumar Deb and Subhananda Chakrabarti and Jhuma Saha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.09631},
year = {2024}
}