利用Ga液滴在AlGaSb中刻蚀纳米孔
应用物理
2021-04-12 v2 材料科学
摘要
我们展示了在270{\deg}C至500{\deg}C温度范围内通过Ga液滴刻蚀在AlGaSb中形成纳米孔，从而实现对纳米孔密度大范围的调控。通过利用Sb的低蒸气压，我们能够对液滴形成和纳米孔刻蚀步骤进行高度控制，并揭示这些过程中吸附原子扩散的物理机制。此外，结合实验结果和基于几何扩散的模型，我们可以确定驱动液滴刻蚀过程完成所需的Sb原子临界单原子层覆盖度对温度和Sb通量的依赖关系。这些发现为半导体纳米结构液滴介导合成中的液滴形成与刻蚀过程提供了新见解，并代表了在GaSb体系中开发通信波段量子点的重要一步。
引用
@article{arxiv.2101.09106,
title = {Nanohole etching in AlGaSb with Ga droplets},
author = {Joonas Hilska and Abhiroop Chellu and Teemu Hakkarainen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.09106},
year = {2021}
}
备注
21 pages, 5 figures