可解离 doped Mott 绝缘体中的强配对密度波涨落

我们研究了方格上 Hatsugai-Kohmoto (HK) 模型，该模型描述了半填充时的 Mott 绝缘体以及掺杂时的非费米液体相。通过求解包含配对相互作用的可解模型，证明在低掺杂至临界掺杂水平和中间 U 相互作用作用下，出现与中心质量动量 $\mathbf{Q}=(\pi,\pi)$ 相关的强配对密度波 (PDW) 涨落。此外，我们也确认在较宽的相互作用 $U$ 与掺杂参数 $x$ 范围内，模型中出现超导不稳定性。鉴于最近的研究表明 HK 模型的金属-绝缘相变属于与著名 Hubbard 模型相同普适类 (Huang 等人，Nat. Phys. \textbf{18}，511 (2022))，本工作或有助于阐明在掺杂 Mott 绝缘体上出现波动 PDW 相的有趣情景，这一观点被认为与理解处于 underdoped 区域的 cuprate 超导体物理有关。