MOCVD生长的晶圆级MoTe₂中的强阻尼类力矩
材料科学
2024-05-01 v1
摘要
可扩展合成强自旋轨道耦合(SOC)材料(如1T'相MoTe₂)对于自旋电子学的发展至关重要。在这里，我们展示了使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，以溅射Mo和(C₄H₉)₂Te为前驱体，实现晶圆级1T' MoTe₂的生长。合成的薄膜在整个样品表面显示出均匀的覆盖。通过调整生长参数，实现了能够产生1T'和2H MoTe₂混合相薄膜的合成工艺。值得注意的是，所开发的工艺与后道工序(BEOL)应用兼容。通过在1T' MoTe₂/坡莫合金双层射频波导上进行的自旋力矩铁磁共振(ST-FMR)测量，证明了所生长的1T' MoTe₂薄膜的强自旋轨道耦合。这些测量揭示了晶圆级1T' MoTe₂薄膜中显著的阻尼类力矩，并表明了高的自旋电荷转换效率。BEOL兼容工艺和强大的自旋轨道力矩展示了在先进器件应用中的前景。
引用
@article{arxiv.2404.19135,
title = {Strong Damping-Like Torques in Wafer-Scale MoTe${}_2$ Grown by MOCVD},
author = {Stasiu Thomas Chyczewski and Hanwool Lee and Shuchen Li and Marwan Eladl and Jun-Fei Zheng and Axel Hoffmann and Wenjuan Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.19135},
year = {2024}
}
备注
13 pages total, 5 figures. To be submitted