用于硅上锗激光器的氮化硅应力层应力工程
光学
2016-12-16 v2
摘要
侧部和顶部氮化硅应力层被提出并证明是降低硅上锗激光器的阈值电流Ith并改善电光效率（wall-plug efficiency）{\eta}wp的有效途径。结果表明，仅使用侧部应力层比同时使用顶部与侧部应力层更能有效提高{\eta}wp。仅采用侧部应力层并进行几何优化，在缺陷限制载流子寿命为1 nsec时，可实现30.5%的{\eta}wp和50 mA的Ith (Jth为37 kA/cm2)。在缺陷限制载流子寿命为10 nsec时，可实现7.8 mA的Ith (Jth为5.8 kA/cm2)以及38.7%的电光效率（wall-plug efficiency）。这些相较于无任何应力层的情况有了巨大改善。这些结果为硅上锗激光器技术提供了有力支持，并给出了改善锗激光性能的有效途径。
引用
@article{arxiv.1610.07813,
title = {Stress engineering with silicon nitride stressors for Ge-on-Si lasers},
author = {Jiaxin Ke and Lukas Chrostowski and Guangrui Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.07813},
year = {2016}
}