通过化学气相沉积在铜上生长石墨烯实现应变调控
材料科学
2015-03-17 v1
摘要
应变可作为调控石墨烯电子特性的替代手段。本文证明，仅通过改变石墨烯在铜上化学气相沉积的生长温度，即可调控石墨烯的均匀应变。由于石墨烯-铜系统的冷却，我们可以在石墨烯上诱导出均匀的压缩应变。通过拉曼光谱分析应变，观察到2D峰的位移，并将其与我们对石墨烯-铜系统随应变变化的从头算计算结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1101.1884,
title = {Straining Graphene by Chemical Vapour Deposition Growth on Copper},
author = {Victor Yu and Eric Whiteway and Jesse Maassen and Michael Hilke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1884},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures