SrSnO3中通过相变实现的应变弛豫
材料科学
2020-10-21 v1
摘要
SrSnO3（SSO）是一种新兴的超宽禁带（UWBG）半导体，在高功率应用方面具有潜力。最近研究表明，面内压应变在室温（RT）下稳定了SSO的高温四方相，该相在块体中存在于T > 1062 K。在此，我们报道了使用基于自由基的混合分子束外延在GdScO3（110）（GSO）衬底上生长的外延四方相Nd掺杂SSO薄膜中的应变弛豫研究。最薄的SSO薄膜（厚度t = 12 nm）在室温下呈现完全共格的四方相。在12 nm < t < 110 nm时，四方相首先转变为正交相，然后在t > 110 nm时，正交相开始通过形成失配位错而弛豫。值得注意的是，四方相保持完全共格直到其完全转变为正交相。利用厚度和温度依赖的电学输运测量，我们讨论了表面、相共存和失配位错对Nd掺杂SSO中载流子浓度和迁移率的重要作用。本研究提供了对应变弛豫行为及其对掺杂SSO中电学输运影响的空前见解，对高功率电子器件的发展具有意义。
引用
@article{arxiv.2010.09817,
title = {Strain Relaxation via Phase Transformation in SrSnO3},
author = {Tristan K Truttmann and Fengdeng Liu and Javier Garcia Barriocanal and Richard D. James and Bharat Jalan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.09817},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 4 figures