立方 CdSe 在 ZnSe 上逐层生长过程中的应变弛豫
应用物理
2019-10-09 v1
摘要
详细的反射高能电子衍射分析显示了 CdSe 薄膜在 ZnSe 上以逐层模式生长时晶格参数弛豫的相关特征。对不同方位角的原位研究表明，在 110 方位角存在清晰的晶格参数振荡。晶格参数在 Se 暴露步骤期间具有最小值~类似于 ZnSe！，而在 Cd 暴露步骤期间具有更高且递增的晶格参数。该行为归因于 Cd 暴露步骤期间 CdSe 岛的形成。CdSe 暴露步骤中的累积效应被认为是由随循环次数增加的岛尺寸减小所致。实际塑性变形在 5 个单分子层（ML）后发生。
引用
@article{arxiv.1910.02943,
title = {Strain relaxation during the layer by layer growth of cubic CdSe onto ZnSe},
author = {O. de Melo and C. Vargas-Hernandez and I. Hernandez-Calderon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02943},
year = {2019}
}