由聚乄醇覆盖基板上的金属辅助剥离诱导的二维TMDC应变

我们修改了金属辅助转移技术，以通过引入初始阶段——将bulk晶体剥离到具有聚乄醇涂层的中间基板（具体为硅片）上——获取大面积few-layer薄片。随后，我们热蒸发银层并将晶体的顶层沿着银层转移到目标基板。该技术能够生产产量高、视觉上不起皱的单层和few-layer薄片。与使用美柚带剥离的薄片的微拉曼和微光谱进行直接比较，发现其性质存在差异。我们识别出从中间基板剥离的薄片中表明其存在变形的特征，指示基板与薄片之间存在静摩擦。我们的发现表明，一种产生二维材料内在变形的新方法。