深紫外氮化物发光器件中应变驱动的光偏振切换
材料科学
2015-05-27 v1
摘要
残余应变在决定氮化物外延层的晶体质量及改变其能带结构方面起着关键作用；这通常会导致若干有趣的物理现象。例如，人们发现在 AlyGa1-yN (x<y) 模板上生长的 AlxGa1-xN 层中的压缩应变，会导致价带在比预期高得多的 Al 组分处发生反交叉。这种情况甚至在 AlxGa1-xN 层具有大的负晶体场分裂能时也会发生。适当大小的压缩应变可以支持 AlxGa1-xN 量子阱高达 x\approx 0.80 的垂直发光（沿 c 面外），这对于开发设计在 250nm 以下工作且具有横向电极化特性的深紫外发光二极管是非常理想的。
引用
@article{arxiv.1101.1646,
title = {Strain-driven light polarization switching in deep ultraviolet nitride emitters},
author = {T. K. Sharma and Doron Naveh and E. Towe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1646},
year = {2015}
}